此片式多層瓷介電容器使用于單相電能表，此單相電能表在使用過(guò)程中發(fā)現(xiàn)部分電能表在檢定時(shí)或在運(yùn)行一段時(shí)間（時(shí)間短的幾天，長(zhǎng)的幾個(gè)月）后發(fā)現(xiàn)誤差不穩(wěn)定，進(jìn)行誤差檢定時(shí)誤差變化很大，有時(shí)停止計(jì)量，有時(shí)誤差較大（大大超過(guò)正常誤差范圍且不穩(wěn)定）。經(jīng)初步檢查為芯片參考電壓濾波多層片式陶瓷電容器失效所致，失效后此位置電容漏電很大。
     本案例中主要分析此電容器失效的原因，同時(shí)分析同一塊電路板上其他同型號(hào)6個(gè)電容外觀是否存在損傷、電氣參數(shù)是否在合格范圍。
     分析中共提取了3塊失效樣板，編號(hào)分別為F1#～F3#，其對(duì)應(yīng)位置的電容器分別編號(hào)為Fi#-Cj(i=1、2、3，j＝3、4、8、10、11、12、14)。
1）外觀觀察
      對(duì)樣品進(jìn)行外觀檢查，未見(jiàn)明顯異常。
     拆開(kāi)樣品，失效陶瓷電容器的典型外觀形貌見(jiàn)圖4-39，未見(jiàn)明顯異常。同時(shí)，同一塊電路板上其他同型號(hào)6個(gè)電容外觀也未見(jiàn)明顯的異常。

圖4-39 失效樣品及同型號(hào)其他位置電容器的外觀形貌（F1#）

2）電參數(shù)測(cè)試
      在板上直接對(duì)F1#-C14、F2#-C14、F3#-C14電容量（C）、損耗（tgδ）和絕緣電阻（R）進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表4-9。
     同時(shí)把三個(gè)失效樣品C3、C4、C8、C10、C11、C12、C14位置上的電容器用手工烙鐵取下，對(duì)電容量（C）、損耗（tgδ）和絕緣電阻（R）進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表4-9。
     把焊接下來(lái)的F1#-C14、F2#-C14、F3#-C14用酒精擦洗，然后高溫烘烤18小時(shí)，冷卻至室溫后對(duì)電容量（C）、損耗（tgδ）和絕緣電阻（R）進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表4-9。
     從表4-9可以看出：位置的電容器，其絕緣電阻不管是在那種狀態(tài)，都小于合格判據(jù)，因此，確認(rèn)樣品的失效模式為絕緣電阻減小。而其他各位置的電容器其各參數(shù)都在合格判據(jù)之內(nèi)。
3）金相切片觀察
     對(duì)F1#-14、F2#-14、F3#-14電容器進(jìn)行金相切片觀察。
     3只樣品內(nèi)部陶瓷介質(zhì)都能見(jiàn)到約45°的裂紋，形貌見(jiàn)圖4-40～圖4-42。
4）綜合分析
     樣品上電容器的失效模式表現(xiàn)為絕緣電阻減小。
     由金相切片可以知道：失效樣品上陶瓷電容器內(nèi)部陶瓷介質(zhì)存在約45°的裂紋。裂紋的存在會(huì)引起絕緣電阻降低，造成樣品的漏電失效。從失效樣品內(nèi)部陶瓷介質(zhì)裂紋的形狀和位置來(lái)看，裂紋的產(chǎn)生與機(jī)械應(yīng)力相關(guān)。
5）結(jié)論
     陶瓷電容器由于內(nèi)部陶瓷介質(zhì)存在裂紋引起其電絕緣電阻降低而失效。陶瓷介質(zhì)裂紋的產(chǎn)生與機(jī)械應(yīng)力有關(guān)。
樣品在電能表使用一段時(shí)間后出現(xiàn)了容量降低的現(xiàn)象，失效樣品編號(hào)為F1#、F2#；疑似失效樣品1#～5#；良品G1#～G5#。